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ISL9R460PF2
—
STEALTH? Diode
Typical Performance Curves TC
= 25
°C unless otherwise noted
Figure 1. Forward Current vs Forward Voltage Figure 2. Reverse Current vs Reverse Voltage
Figure 3. ta
and t
b
Curves vs Forward Current
diF/dt,
CURRE
NT
RA
TE
O
F
CH
ANGE
(
A/μs)
Figure 4.
ta
a
nd tb
Curves vs diF/dt
Figure 5. Maximum Reverse Recovery Current vs
Forward Current
diF/dt,
CURRE
NT
RA
TE
O
F
CHANG
E
(
A/μs)
Figure 6.
Maximum
Rever
se Recovery Current
vs
diF/dt
VF, FORWARD VOLTAGE (V)
I
F
, FORWARD CURRENT (A)
00.511.522.53
0
1
2
3
4
5
6
7
8
25oC
100oC
150oC
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
I
R
, REVERSE CURRENT (
μ
A)
100
10
1
100 200 300 500 600400
0.1
600
25oC
150oC
125oC
100oC
75oC
IF, FORWARD CURRENT (A)
AT
0
a
d
iF/dt
=
200A
/μs, 500A/μs, 800A/μs
1234 67
20
30
40
50
70
580100
200 300 400 500 600 800 900
t, RECOVERY TIMES (ns)
80
90
tb
AT
d
iF/dt
=
200A
/μs, 500A/μs, 800A/μs
t
60
10
VR
= 390V, T
J
= 125
oC
20
40
60
80
700
1000
t, RECOVERY TIMES (ns)
100
120
tb
AT I
F
= 8A, 4A, 2A
ta
AT I
F
= 8A, 4A, 2A
VR
= 390V, T
J
= 125
oC
IF, FORWARD CURRENT (A)
1
2
3
4
5
6
7
8
I
rr
, MAX
RE
VERSE
RE
COVERY
CURRE
NT
(
A)
diF/dt
=
800
A/μs
diF/dt
=
500A/μs
diF/dt
=
20
0A/μs
2345678
VR
= 390V, T
J
= 125
oC
100
1
2
3
4
5
6
200 300 400 500 600 800 900700
1000
I
rr
, MAX
RE
VERSE
RE
COVERY
CURRE
NT
(
A)
VR
= 390V, T
J
= 125
oC
IF
= 8A
IF
= 2A
7
8
IF
= 4A
?2003 Fairchild Semiconductor Corporation
ISL9R460PF2 Rev. C1
www.fairchildsemi.com
3
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